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基于分子束外延的4 in硅基碲镉汞材料工艺研究
现阶段,大面阵碲镉汞红外焦平面探测器的需求持续增加,面向更大尺寸的碲镉汞材料制备技术成为了研究热点。对4 in硅基碲镉汞材料外......
期刊
4
in硅衬底
分子束外延
碲镉汞
4 in Si substrate
MBE
HgCdTe
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